MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)特性及工作原理

MOS集成電路,基本都是由一個(gè)個(gè)MOS晶體管組成的,因此MOS晶體管是MOS集成電路的基礎(chǔ)。在討論MOS電路之前,必須對MOS晶體管的原理、基本特性和各種參數(shù)有個(gè)深入的了解。

本章主要敘述MOS場效應(yīng)晶體管的物理基礎(chǔ)、基本特性及其主要參數(shù)。

一、MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)特性及工作原理

1、N溝道MOS晶體管

圖1-1表示一個(gè)N溝道MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)模型。它是在P型Si片上擴(kuò)散兩個(gè)N+區(qū),一個(gè)為源擴(kuò)散區(qū),另一個(gè)漏擴(kuò)散區(qū)。兩個(gè)N+擴(kuò)散區(qū)之間稱為溝道區(qū),在溝道區(qū)上面用熱氧化生長一層薄氧化層,作為絕緣。然后在源擴(kuò)散區(qū)、漏擴(kuò)散區(qū)和絕緣概上蒸發(fā)一層金屬鋁,作為引出電極,分別為源極(用S表示)、漏極(用D表示)和控制柵極(用G表示)。整個(gè)制作過程,都是采用硅平面工。

圖1-1N泡MOS晶體管結(jié)構(gòu)圖

從圖中可以看到,從金屬柵開始向下為二氧化硅絕緣層,再下面為半導(dǎo)體硅,這樣由金屬一二氧化硅一硅三層組成了MOS系統(tǒng)。如果在金屬柵上不加?xùn)旁措妷?源之間被兩個(gè)“背靠背”的二極管隔離,即使在源漏之間加了電壓VDG,也不會(huì)有電流通過,而只有極微小的PN結(jié)泄漏電流。但當(dāng)在柵極上加了足夠大的正向柵源電壓VDG以后,會(huì)在柵極下畫產(chǎn)生一個(gè)指向硅表面的電場。當(dāng)這個(gè)柵源電壓大于MOS管的值電壓VT時(shí),P型硅體內(nèi)的電子在電場的作用下,被吸引到表面,形成與體內(nèi)導(dǎo)電類型相反的N型層,稱為N溝道,它把源、漏兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)連接起來。當(dāng)在源漏之間施加一個(gè)電壓VDG,電流就從漏區(qū)經(jīng)過溝道流向源區(qū),如圖1-2所示。當(dāng)柵源電壓a繼續(xù)增高;被吸到反型層中的電子也就增多(即導(dǎo)電溝道增厚,電阻減小),漏源電流就隨as的增大而迅速增大。相反,如果柵源電壓減小,反型層中的電子跟著減少,導(dǎo)電溝道減薄,溝道電阻增大,流過溝道的電流就會(huì)減小。柵源電壓小于值電壓VT時(shí),溝道消失,ID=0。當(dāng)VDG一定時(shí),源電流ID隨VDG變化的關(guān)系曲線,由圖1-3表示,稱為轉(zhuǎn)移特性曲線。

           圖1-2N溝道MO3品體管工作原理示意圖          圖1-3N溝道增強(qiáng)型MO晶體管轉(zhuǎn)移特性

上面講到的MOS晶體管,在柵源電壓VDG=0時(shí),柵氧化層下面的Si表面層不存在反型溝道,源漏之間沒有電流通過。只有當(dāng)柵源電壓VGS≥VT，Si表面層オ開始形成強(qiáng)反型層,源漏之間才開始有電流通過。按這種方式工作的器件,稱為N溝道增強(qiáng)型MOS器件。

如果當(dāng)源電壓VGS=0時(shí),在柵氧化層下面的B表面層內(nèi)已經(jīng)形成原始溝道,只要在之間施加很小的電壓下,源漏之間就有電流通過。按這種方式工作的器件,稱為N溝道耗盡型器件。例如在P型村底濃度較低和柵氧化層中存在較多的正電荷時(shí),就往往會(huì)做成N溝道耗盡型MOS晶體管。它的轉(zhuǎn)移特性曲線由圖1-4所表示。

圖1-4N溝道耗盡型
MOS晶體管轉(zhuǎn)移特性曲線

從圖上看到,當(dāng)柵源電壓VGS由零向正方向增大時(shí),被吸引到反型層中的電子增多,漏源電流隨VGS的升高而增大。如果在柵源電壓VGS由零向負(fù)方向增大時(shí),反型層中的電子被電場推斥而減少,漏源電流跟著減少;當(dāng)柵源電壓VGS的負(fù)值達(dá)到某值時(shí),使反型層完全消失,漏源電流就下降為零。我們稱這時(shí)的VGS為器件的溝道夾斷電壓,用VT表示。它與閥電壓具有同樣的MOS晶體管傳移特性曲線涵義,所以也用閾值電壓VT表示。從上面分析知道,N溝道增強(qiáng)型MOS管額的閾值電壓VT>0,N溝道耗盡型MOS管的閾電壓VT<0。既然源、漏擴(kuò)散區(qū)是在同一次擴(kuò)散中形成的,從結(jié)構(gòu)上看,漏區(qū)和源區(qū)沒有什么區(qū)別。那么,源和漏是怎樣決定的呢:這主要由應(yīng)用時(shí)的偏置條件來決定。我們定義N溝道MOS晶體管中電位最低的一個(gè)擴(kuò)散區(qū)為源極,電位較高的為漏極。在一般工作條件下,源極與村底是連接在一起的,所以使漏極相對于村底處于高電位,即漏區(qū)(N)和村底之間的PN結(jié)處于反向偏置。這樣,MOS晶體管在正常工作時(shí),擴(kuò)散區(qū)與村底之間是相互絕緣的。

2、P溝適MOS晶體管

如果采用N型村底,并在它的上面做成兩個(gè)P型源、漏擴(kuò)散區(qū),就可制成P溝道MOS場效應(yīng)晶體管。
圖1-5為P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管的工作電壓偏置示意圖。其中源極接地,柵源電壓VGS和漏源電壓VDS都是負(fù)偏蛩電壓,與上述NMOS晶體管的電壓偏置情況正好相反。

圖1-6為P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線。當(dāng)柵源電壓｜VGS｜增大到｜VT｜時(shí),N型襯底表面的反型層開始形成,漏源之間開始有電流通過,當(dāng)｜VGS｜繼續(xù)增大,反型層中的空穴增多,漏源電流隨之増加。相反,｜VGS｜減小時(shí),漏源電流也跟著減??；當(dāng)｜VGS｜＜｜VT｜時(shí),溝道消失,ID=0。采用常規(guī)工藝制造的P溝道MOS晶體管,只能制造出增強(qiáng)型MOS晶體管。

 圖1-5P溝道MOS晶體管工作原理示意圖            圖1-6P溝道增強(qiáng)型MOS晶體管轉(zhuǎn)移特性曲線圖

當(dāng)然,P溝道MOS晶體管也應(yīng)該能做出耗盡型的,就是當(dāng)VGS=0時(shí),柵下面的P型硅表面層里就有原始的P溝道存在,只有在柵源之間加上一定的正電壓,原始溝道才會(huì)消失,使ID=0。這種管子的轉(zhuǎn)移特性曲線由圖1-7表示,這里的VT為正值。

圖1-7 P溝道耗盡型溝道MOS晶體管轉(zhuǎn)移特性的曲線

從上面介紹知道,P溝道增強(qiáng)型MOS管的電壓Vr為負(fù)值，而P溝道耗盡型MOS管的閾值電壓VT為正值。

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