電子技術(shù)論壇
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第一章 MOS晶體管原理與特性
§1.1 MOS晶體管一般介紹
§1.2 MOS 晶體管的物理基礎(chǔ)
§1.3 MOS晶體管的輸出特性
§1.4 MOS晶體管的主要參數(shù)
§1.5 MOS晶體管的最高頻率
二、閾值電壓溫度的變化 |
第二章 MOS倒相器和門電路
§2.1 電阻負(fù)載MOS倒相器
§2.2 E/E MOS倒相器
四、MOS倒相器設(shè)計(jì)舉例 |
§2.3 E/DMOS倒相器
§2.4 CMOS倒相器
§2.5 MOS門電路與傳輸門
第三章 觸發(fā)器和其它邏輯部件
§3.1 MOS觸發(fā)器
§3.2 MOS加法器
§3.3 MOS譯碼器
§3.4 MOS移位寄存器
第四章 大規(guī)模集成電路
§4.1 MOS存貯器
§4.2 電荷耦合器件（CCD）
第五章 MOS集成電路設(shè)計(jì)與布圖
§5.1 PMOS集成電路版圖設(shè)計(jì)
§5.2 CMOS集成電路設(shè)計(jì)
§5.3 超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)的基本原理簡(jiǎn)介
第六章 MOS工藝
§6.1 MOS常規(guī)工藝
§6.2 硅柵工藝
三、等平面硅柵N溝MOS工藝 |
§6.3 離子注入技術(shù)在MOS工藝中的應(yīng)用
一、離子注入法調(diào)整MOS器件的VT | 二、離子注入實(shí)現(xiàn)柵自對(duì)準(zhǔn) |
§6.4 雙層?xùn)殴に?/span>
一、MNOS工藝 | 二、MAOS工藝 |
§6.5 CMOS工藝
一、基本CMOS工藝敘述 | 二、離子注入法制造CMOS電路 |
三、SOS技術(shù)制造CMOS電路 |
§6.6 E/D MOS工藝
一、離子注入法制造E/DMOS | 二、Sio2-AI2O3雙層?xùn)臙/DMOS |
三、雙擴(kuò)散法制造E/DMOS |
§6.7 VMOS工藝
一、結(jié)構(gòu)與特點(diǎn) | 二、VMOS的主要工藝過程 |
§6.8 生產(chǎn)中電路參數(shù)的監(jiān)測(cè)方法
