MOS管結(jié)構(gòu)的表面勢(shì)及空間電荷區(qū)的電荷解析

從上面討論知道，表面勢(shì)φs的大小，是表征空間電荷區(qū)電荷量多少的一個(gè)量。它們的數(shù)量關(guān)系在后面的討論中是非常有用的。

1、MOS表面勢(shì) 

半導(dǎo)體表面空間電荷區(qū)在Si-SiO2界面處的表面勢(shì)，可以通過(guò)解泊松方程來(lái)求得。一般情況下，空間電荷區(qū)內(nèi)存在著電離的受主N2和施主NA，還有電子和空穴P。因此，空間電荷區(qū)的電荷密度可寫為：

但是在耗盡層近似條件下，空間電荷區(qū)的電荷密度可化簡(jiǎn)為Q（χ）=-qNA。因?yàn)樗紤]的是P型半導(dǎo)體，空間電荷區(qū)中的ND≈0；在耗盡時(shí)，空間電荷區(qū)的空穴濃度p（χ）《NA；而在φs<2φ_F時(shí)，空間電荷區(qū)中的電子濃度n（χ）《 NA。所以，耗盡近似下的Q（χ）=-9N_A。把它代入泊松方程，得：

這一方程與分析PN結(jié)耗盡層時(shí)的泊松方程是一致的。下面求解這個(gè)方程：

首先，把（1-5）式改寫成：

用分離變量法，對(duì)兩邊積分：

即得到電場(chǎng)在空間電荷區(qū)距Si-Si02界面為χ處的電場(chǎng)強(qiáng)度，式中χ4為耗盡層（空間電。荷區(qū)）的寬度。

再將時(shí)，并用分離變量法，對(duì)兩邊積分：

即得空間電荷區(qū)內(nèi)距Si-SiO2界面χ處的電勢(shì)為：

當(dāng)χ=0時(shí)，(0)≈φs。即：

耗盡層寬度即為此處的空間電荷區(qū)寬度，可以寫成：

這個(gè)結(jié)果與單邊突變結(jié)PN結(jié)空間電荷區(qū)的寬度類同。如果滿足強(qiáng)反型條件φs=2φ_F，那么空間電荷區(qū)的最大寬度為：

2、空間電荷區(qū)的電荷密度

根據(jù)（1-9）式，我們可以得到空間電荷區(qū)內(nèi)單位面積的電荷量為：

如果N_A-10¹⁸個(gè)/cm³，φs分別為0.2V和0.4V，則可以得到單位面積內(nèi)空間電荷密度為：2.5×10^-8C/cm²和3.6×10^-8C/cm²。

從式1-8中可以看到，摻雜濃度愈高，要達(dá)到強(qiáng)反型的表面勢(shì)就愈大，這和前面講到的強(qiáng)反型條件φs=2φ_F是一致的。MOS結(jié)構(gòu)表面勢(shì)

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