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MOS晶體管圖形設計舉例結構詳細解析

信息來源: 時間:2020-10-27

MOS晶體管圖形設計舉例結構詳細解析

MOS晶體管版圖形設計舉例

MOS晶體管圖形設計,制造MOS晶體管,首先要根據(jù)給定的參數(shù),設計出符合要求的圖形。這里概要介紹一下根據(jù)跨導gm的要求,來設計一個MOS晶體管的圖形。

設閥值電壓image.png時,要求管子的跨導gm=image.png

根據(jù)條件,所設計的MOS晶體管為N溝道增強型器件,所給定的ga為飽和區(qū)跨導。這里的圖形設計,歸結為確定器件溝道的寬長比image.png。

根據(jù)飽和區(qū)跨導公式:

MOS晶體管圖形設計

MOS晶體管圖形設計

可寫出器件的寬長比為:

MOS晶體管圖形設計

若取:image.png

可求得:image.png

將上述數(shù)值代入,即求得器件的寬長比為:

image.png

如果溝道長度L取8μm,則W取64μm。

于是根據(jù)所確定的寬長比,就可畫出如圖1-41(a)所示的版圖。MOS晶體管圖形設計其中,大方塊表示襯底P-Si,方塊中左右兩個長方塊表示漏源N+區(qū),中間的間隙,即為溝道的寬與長,溝道上打×的方塊,表示薄氧化層;點劃線表示鋁引線;斜線表示引線孔。若沿虛線AA切開,就可得到如圖1-41(b)所示的截面圖。

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