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板子上的MOS管真的能持續(xù)安全工作嗎？ - MOS管,SOA,開關(guān)電源 - KIA-mos管

作者：時(shí)間：0001.1.1

摘要：板子上的功率MOS管是否能持續(xù)安全工作，是設(shè)計(jì)者最擔(dān)心的問題。炸機(jī)、用著用著就壞了、莫名其妙MOS管就炸了，遇到這些真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢？這一切其實(shí)都和SOA有關(guān)。

我們知道開關(guān)電源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸，非常危險(xiǎn)。

熟悉和正確使用SOA，可以極大限度地提高開關(guān)器件的穩(wěn)定性和延長使用壽命。

一、什么是SOA？

SOA（Safe operating area）是指安全工作區(qū)，由一系列限制條件組成的一個(gè)漏源極電壓V_DS和漏極電流I_D的二維坐標(biāo)圖，開關(guān)器件正常工作時(shí)的電壓和電流都不應(yīng)該超過該限定范圍。

圖1SOA曲線示意圖

對于功率半導(dǎo)體器件，能夠安全、可靠地進(jìn)行工作的電流和電壓范圍，稱為安全工作區(qū)，超過此范圍的電流和電壓工作時(shí)器件會(huì)發(fā)生損壞，容易引發(fā)電力電子裝置破壞性問題。任何功率半導(dǎo)體器件都需要給出安全工作區(qū)，一方面衡量器件的性能，同時(shí)為正確使用器件和設(shè)計(jì)電路參數(shù)提供依據(jù)。

開關(guān)器件的數(shù)據(jù)手冊中幾乎都能找到SOA的身影。

二、SOA相關(guān)要點(diǎn)

SOA的限定范圍通常由最大漏極電流I_D(max)或最大漏極脈沖電流I_DM、最大漏源電壓V_D(MAX)、最大允許耗散功率P_D(MAX)或最大脈沖耗散功率P_DM、導(dǎo)通電阻R_DS(on)共同決定的。

功率MOSFET的安全工作區(qū)SOA曲線，通常有4條邊界組成，分別說明如下：

1)安全工作區(qū)SOA曲線左上方的邊界斜線，受功率MOSFET的導(dǎo)通電阻R_DS(ON)限制。

圖2SOA受RDS(ON)的限制

因?yàn)樵诠潭ǖ腣_GS電壓和環(huán)境條件下，功率MOSFET的R_DS(ON)是固定的，因此這條斜線的斜率為。則V_DS與I_D對應(yīng)關(guān)系如下式：

在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中，可以找到R_DS(ON)值的定義和范圍，如下圖所示：

圖3數(shù)據(jù)手冊中的RDS(ON)

2)安全工作區(qū)SOA曲線最右邊的垂直邊界，是受最大的漏源極電壓BV_DSS的限制，即漏源擊穿電壓。

圖4SOA受BVDSS的限制

漏源擊穿電壓BV_DSS限制了器件工作的最大電壓范圍，在功率MOSFET正常工作中，若漏極和源極之間的電壓過度增高，PN結(jié)反偏發(fā)生雪崩擊穿，為保障器件安全，在關(guān)斷過程及其穩(wěn)態(tài)下必須承受的漏極和源極間最高電壓應(yīng)低于漏源擊穿電壓BV_DSS。

漏源擊穿電壓BV_DSS是功率MOSFET數(shù)據(jù)表中所標(biāo)稱的最小值。如下圖所示：

圖5數(shù)據(jù)手冊中的BVDSS

3)安全工作區(qū)SOA曲線最上面水平線，受最大的脈沖漏極電流I_DM（或連續(xù)漏極電注I_D）的限制。

圖6SOA受IDM的限制

有些SOA曲線會(huì)分別標(biāo)注DC和脈沖模式下的曲線，需要注意的是I_DM是脈沖工作狀態(tài)的最大電流，通常最大漏極脈沖電流I_DM為連續(xù)漏極電流I_D的3到4倍，因此脈沖電流要遠(yuǎn)高于連續(xù)的直流電流。I_DM和I_D在數(shù)據(jù)手冊中的定義如下：

圖7數(shù)據(jù)手冊中的ID和IDM

4)安全工作區(qū)SOA曲線右上方平行的一組斜線，是DC和不同的單脈沖寬度下功率損耗的限制。

圖8SOA受功率損耗的限制

MOSFET的數(shù)據(jù)表中通常都提供了P_D值，P_D值為DC直流狀態(tài)下的最大損耗功率，如下圖所示：

圖9數(shù)據(jù)手冊中的PD

不同脈沖寬度下的最大損耗功率P_DM通常需要計(jì)算得到。

DC時(shí)的最大損耗功率P_D的計(jì)算公式為

其中T_jmax為最大結(jié)溫，T_C為殼溫，為穩(wěn)態(tài)熱阻，這三個(gè)值在數(shù)據(jù)手冊中都可以查到。

不同脈沖寬度時(shí)的脈沖耗散功率P_DM的計(jì)算公式為

其中T_jmax為最大結(jié)溫，T_C為殼溫，為歸一化瞬態(tài)熱阻系數(shù)，為穩(wěn)態(tài)熱阻。可以在MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中的脈沖寬度與的曲線圖中查到，因此可以通過脈沖寬度來計(jì)算出P_DM。

圖10脈沖寬度與歸一化瞬態(tài)熱阻關(guān)系圖

三、SOA注意事項(xiàng)

功率MOSFET數(shù)據(jù)手冊中，相關(guān)極限參數(shù)和安全工作區(qū)SOA曲線都是基于工作溫度T_C=25 ℃下的計(jì)算值。

例如，一款MOS管的BV_DSS為600V，但這個(gè)600V是在25℃的值，如果工作在-25℃時(shí)，則BV_DSS可能只有550V。如下圖所示：

圖11不同溫度下的BVDSS

在實(shí)際的工作中，功率MOSFET的T_C溫度，絕對不可能為25 ℃，通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于25 ℃，因此在實(shí)際設(shè)定和使用SOA時(shí)，一定要根據(jù)實(shí)際條件來對SOA限定條件進(jìn)行修正和降額。

例如，在不同的工作溫度、不同的脈沖電流或脈沖寬度條件下，R_DS(ON)的值都會(huì)不同。在功率MOSFET的數(shù)據(jù)手冊中通常都提供了溫度-R_DS(ON)的特征曲線圖，如下圖所示：

圖12溫度-RDS(ON)關(guān)系圖

從R_DS(ON)與溫度的關(guān)系曲線可見，當(dāng)結(jié)溫從25℃升高到110℃，導(dǎo)通電阻提高了一倍，溫度越高，R_DS(ON)所限制的安全工作區(qū)縮小，所以在實(shí)際應(yīng)用中需要用特定工作環(huán)境下的導(dǎo)通電阻限定安全工作區(qū)。

同樣，I_D(max)、V_D(MAX)和P_D(MAX)都需要根據(jù)實(shí)際工作的環(huán)境條件進(jìn)行降額和修正。

四、SOA實(shí)測

示波器的SOA測試應(yīng)用非常簡單，使用電壓、電流探頭正常測試開關(guān)管的V_DS和I_DM，打開SOA分析功能，對照數(shù)據(jù)手冊的SOA數(shù)據(jù)設(shè)置好示波器的SOA參數(shù)即可。

以FCP22N60N這款MOSFET為例，我們查看數(shù)據(jù)手冊，連續(xù)工作模式的相關(guān)參數(shù)如下：

圖13FCP22N60N數(shù)據(jù)手冊

我們來設(shè)置示波器的SOA參數(shù)， BV_DSS對應(yīng)于“電壓限定值”， I_D對應(yīng)于“電流限定值”，P_D對應(yīng)于“功率限定值”，R_DS(ON)對應(yīng)于“Rds(on)限定值”，同時(shí)設(shè)置合適的電壓電流坐標(biāo)范圍（即電壓電流最大值和最小值），參數(shù)設(shè)置界面如下圖所示：