CMOS倒相器工作原理及電壓傳輸特性詳細(xì)分析，增強(qiáng)型MOS負(fù)載常處于導(dǎo)通狀態(tài)，就其工作區(qū)域的不同又可分為飽和區(qū)和非飽和區(qū)，分別稱為飽和負(fù)載倒相器和非飽和負(fù)載倒相器。而E/D MOS和CMOS倒相器的制造工藝雖然復(fù)雜，卻換來(lái)良好的電路性能。
CMOS倒相器工作原理及電壓傳輸特性詳細(xì)分析，增強(qiáng)型MOS負(fù)載常處于導(dǎo)通狀態(tài)，就其工作區(qū)域的不同又可分為飽和區(qū)和非飽和區(qū)，分別稱為飽和負(fù)載倒相器和非飽和負(fù)載倒相器。而E/D MOS和CMOS倒相器的制造工藝雖然復(fù)雜，卻換來(lái)良好的電路性能。
MOS管集成電路-倒相器最基本的MOS集成電路是完成邏輯“非”功能的門電路，它是數(shù)字電路的最基本單元。由于它輸出和輸入的信號(hào)極性是相反的，稱為“倒相器”。
MOS管集成電路-倒相器最基本的MOS集成電路是完成邏輯“非”功能的門電路，它是數(shù)字電路的最基本單元。由于它輸出和輸入的信號(hào)極性是相反的，稱為“倒相器”。
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