解析MOS管高頻小信號(hào)模型適用的頻率范圍的特征

就所適用的頻率范圍而論，計(jì)入四個(gè)電容Cm、Cmb，Cmx和Csd使得完整的準(zhǔn)靜態(tài)模型優(yōu)于圖8.13的簡(jiǎn)單模型。改善的程度取決于偏壓和我們所考慮的端子。例如，飽和時(shí)Cm最大，正是在這種情況下，就柵對(duì)漏的作用而言，兩模型之間的差別最大。當(dāng)VDS=0時(shí)，Cm=0，在這一點(diǎn)上兩模型是相同的。另一方面，也正是在VDS=0時(shí)，Csd最大，  因此正是在這點(diǎn)上，就源對(duì)漏的作用而言，兩模型的差別最大，為了提供某種粗略的指標(biāo)，還是考慮飽和區(qū)的工作情況；對(duì)于小信號(hào)應(yīng)用來說，飽和區(qū)是最重要的區(qū)域。假設(shè)模型中的元件值已經(jīng)過選擇，  因此在頻率很低時(shí)，性能良好。然后，頻率一直高到大約ω₀／3[這里的ω₀由式(8.3.6)給出]，性能繼續(xù)良好，幾乎沒有惡化。這一結(jié)論是與9.4節(jié)中所討論的更完善的非準(zhǔn)靜態(tài)模型比較后而得到的?，F(xiàn)在，有一點(diǎn)應(yīng)該引起讀者注意。雖然完整靜態(tài)模型適用的頻率范圍比較大，但若超出這一范圍，該模型會(huì)給出極其錯(cuò)誤的結(jié)果，事實(shí)上，在某些方面比圖8.13的簡(jiǎn)單模型的結(jié)果更壞。這一重要論點(diǎn)將在9.5節(jié)中對(duì)模型進(jìn)行比較時(shí)加以考慮。

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