解析MOS晶體管版圖及其制版示意說明

MOS晶體管制版

如上所述，掩膜版是通過圖形發(fā)生器從編碼后的布圖制造出來的。一般的基本工藝包括把淀積在高質(zhì)量玻璃板上的薄層鉻(金屬)膜表面上的光敏感或電子束敏感的抗蝕劑曝光，用類似于10.2節(jié)描述的那些工序，將光刻膠顯影，然后腐蝕鉻膜，在掩膜版上形成所要求的清晰和不透明的區(qū)域。MOS晶體管制版。鉻是比較好的照相乳膠，因?yàn)樗苣湍?，而且還可形成較高反差的象。電子束圖形發(fā)生器已成為越來越主要的了。通常可直接制成掩膜版，掩膜版上包含有硅片上與每一個(gè)芯片相對應(yīng)的按最后圖形尺寸大小構(gòu)成的重復(fù)的象。MOS晶體管制版。光學(xué)圖形發(fā)生器通常制成一塊只有一個(gè)芯片的象的掩膜版，這個(gè)象比最后圖形尺寸大5或10倍，這個(gè)中間的掩膜版稱為初縮版。然后，把初縮版光學(xué)投影成一個(gè)精確地縮小的象到另一個(gè)類似的光敏感的版上制成精縮版。這個(gè)投影按照順序重復(fù)許多次，稱為分步重復(fù)，以制成精縮版，這個(gè)版上包含了許多個(gè)芯片上的象。

通常每一層布圖對應(yīng)于一塊掩膜版，但是，有些情況下，制出的版圖數(shù)目大于布圖的層數(shù)。這些附加的掩膜版是通過對各層布圖進(jìn)行邏輯操作，如NOT、AND和OR制成的。例如，如果一個(gè)E/D NMOS工藝要求耗盡型器件防止增強(qiáng)型的注入，在10.3節(jié)討論過，這就要求制出一塊與耗盡層圖形相反的(NOT)掩膜版。MOS晶體管制版。同樣的，在CMOS工藝中，雖然似乎只用單一的，稱為“p⁺”層把實(shí)際p⁺摻雜區(qū)與n⁺(摻雜區(qū)分開，但是，這常常需要兩塊版。MOS晶體管制版。一塊版保護(hù)p⁺區(qū)，防止n⁺注入，另一塊是與前面一塊版上的象相反的一塊掩膜版，用來保護(hù)n⁺區(qū)不受p⁺的注入。實(shí)際制造工藝的細(xì)則一旦決定后，這些附加的掩膜版不難從布圖的CIF編碼中產(chǎn)生。

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