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隨著對(duì)器件的控制需求提升，越來越多的電源開關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同：有的需要快速開通與關(guān)斷，有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流，有的需要閑時(shí)0功耗。雖然應(yīng)用場(chǎng)合不同，但做開關(guān)可是MOS的強(qiáng)項(xiàng)。

下面來介紹幾種產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的MOS做電源開關(guān)的電路。

1、NMOS低側(cè)電源開關(guān)

2、NMOS高側(cè)電源開關(guān)（高側(cè)驅(qū)動(dòng)，穩(wěn)定、性能好）

3、PMOS高側(cè)電源開關(guān)（高側(cè)驅(qū)動(dòng)，穩(wěn)定、簡單）

MOS管因?yàn)槠鋵?dǎo)通內(nèi)阻低，開關(guān)速度快，因此被廣泛應(yīng)用在開關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅(qū)動(dòng)電路。

一、電源IC直接驅(qū)動(dòng)

電源IC直接驅(qū)動(dòng)是很簡單的驅(qū)動(dòng)方式，應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。

①查看電源IC手冊(cè)的很大驅(qū)動(dòng)峰值電流，因?yàn)椴煌酒?，?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。

②了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流，那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢，就達(dá)不到想要的效果。

二、推挽驅(qū)動(dòng)

當(dāng)電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)，可用推挽驅(qū)動(dòng)。

這種驅(qū)動(dòng)電路好處是提升電流提供能力，迅速完成對(duì)于柵極輸入電容電荷的充電過程。這種拓?fù)湓黾恿藢?dǎo)通所需要的時(shí)間，但是減少了關(guān)斷時(shí)間，開關(guān)管能快速開通且避免上升沿的高頻振蕩。

三、加速關(guān)斷驅(qū)動(dòng)

MOS管一般都是慢開快關(guān)。在關(guān)斷瞬間驅(qū)動(dòng)電路能提供一個(gè)盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓快速泄放，保證開關(guān)管能快速關(guān)斷。

為使柵源極間電容電壓的快速泄放，常在驅(qū)動(dòng)電阻上并聯(lián)一個(gè)電阻和一個(gè)二極管，如上圖所示，其中D1常用的是快恢復(fù)二極管。這使關(guān)斷時(shí)間減小，同時(shí)減小關(guān)斷時(shí)的損耗。Rg2是防止關(guān)斷的時(shí)電流過大，把電源IC給燒掉。

如上圖，是我之前用的一個(gè)電路，量產(chǎn)至少上萬臺(tái)，推薦使用。

用三極管來泄放柵源極間電容電壓是比較常見的。如果Q1的發(fā)射極沒有電阻，當(dāng)PNP三極管導(dǎo)通時(shí)，柵源極間電容短接，達(dá)到很短時(shí)間內(nèi)把電荷放完，很大限度減小關(guān)斷時(shí)的交叉損耗。

還有一個(gè)好處，就是柵源極間電容上的電荷泄放時(shí)電流不經(jīng)過電源IC，提高了可靠性。

四、隔離驅(qū)動(dòng)

為了滿足高端MOS管的驅(qū)動(dòng)，經(jīng)常會(huì)采用變壓器驅(qū)動(dòng)。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的電感與C1形成LC振蕩，C1的目的是隔開直流，通過交流，同時(shí)也能防止磁芯飽和。