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目前從事手機硬件設(shè)計工作，寫文章初衷是希望通過網(wǎng)絡(luò)不定期的分享自己在工作學習中收獲的知識。使新入此行業(yè)的工程師能夠多一份參考或者多一種理解。第一篇文章會簡述硬件工程師在工作經(jīng)常遇到的信號振鈴問題，我會以二階系統(tǒng)的階躍響應(yīng)得分析方法，從本質(zhì)上帶大家理解信號振鈴的本質(zhì)，以及如何改善信號振鈴。常見的信號振鈴以及振鈴本質(zhì)主板調(diào)試過程常見信號振鈴的地方，a.24M時鐘信號波形，在電源電路中驅(qū)動MOS管G極信號都會串聯(lián)一顆小電阻，其主要目的是抑制MOS管G極信號振蕩，避免MOS管導通收到VGS電壓影響。

反激電源MOS D-S之間電壓波形產(chǎn)生的原因？這是一個典型的問題，本質(zhì)原因就是功率級寄生電容、電感引起的諧振，然而幾天后我發(fā)現(xiàn)，當時我并沒有充分理解問題，這位朋友所要了解的問題其實應(yīng)細化為：為什么會有兩次諧振，諧振產(chǎn)生的模型是怎樣的？

如下為反激式電源實現(xiàn)方案，該方案采用初級側(cè)穩(wěn)壓（PSR）技術(shù)，

Q1導通時，變壓器初級電感存儲能量，輸出續(xù)流二極管Dfly反向偏置，Cout輸出能量給負載；

Q1關(guān)斷時，變壓器初級線圈釋放能量，輸出續(xù)流二極管正向偏置，向輸出端提供電能；

開關(guān)電源產(chǎn)生振鈴的主要原因在于非理想器件存在功率級寄生電容、電感。所謂諧振，即：在MOS管開通、關(guān)斷切換的過程中，寄生電感將能量傳遞給寄生電容進行充電，充電結(jié)束后寄生電容又釋放電能給寄生電感儲能，如此循環(huán)往復。

群友發(fā)出的圖片中，有2次諧振，

第一次諧振

該諧振產(chǎn)生的時間點在MOS管關(guān)斷的瞬間，等效諧振電路如下：
Loop：初次級間的漏電感、初級勵磁電感、功率MOSFET封裝電感之和
Coss：MOS管寄生電容、線路寄生電容

第二次諧振

這是開關(guān)電源DCM模式特有的一個振鈴現(xiàn)象，

此處你必須要了解開關(guān)電源電感如下兩種模式：

CCM：連續(xù)導通模式，次級端反射電流在MOS通斷，變壓器線圈換相期間不會到達0；
DCM：斷續(xù)導通模式，次級端反射電流在MOS通斷，變壓器線圈換相期間到達0。

在DCM模式下，當MOS管關(guān)斷，且在次級反射電流消耗為0之前，次級線圈輸出相位的電壓高于實際輸出電壓；當反射電流消耗為0，即次級線圈電流消耗為0時，實際輸出電壓由輸出電容提供，此時次級輸出相位的電壓等于0，在次級輸出相位電壓由高于輸出電壓到等于0的變化過程中，會出現(xiàn)電壓的衰減振蕩，而該衰減振蕩會耦合到初級線圈并加載在MOS與線圈連接的開關(guān)節(jié)點處。

由于該諧振給MOS管的寄生電容充電，若MOS在此時導通，則可能碰到寄生電容電位被充到較高的時刻，此時寄生電容所充電的能量若被直接導到GND會造成MOS管的導通損耗，針對該問題，誕生出了準諧振技術(shù)，即：DCM模式下，初級側(cè)MOS在開關(guān)節(jié)點諧振電壓擺幅的谷底附近導通

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