MOS信號處理器的開關(guān)電容電路用MOS技術(shù)實現(xiàn)當(dāng)然，另外一種可供利用的技術(shù)是雙極性的技術(shù)。約在1977年以前，按照所需要的功能雙極性與MOS技術(shù)間存在著清晰的劃分。MOS信號處理器。MOS技術(shù)，具有優(yōu)越的器件密度，多用于數(shù)字邏輯與記憶方面的應(yīng)用，而所有需要模擬功能(如放大、濾波、數(shù)據(jù)變換)的則用雙極性集成電路(如雙極運放)來完成。然而，從那時起，MOS制造技術(shù)的快速進(jìn)展使得它可能制造更復(fù)雜、更靈活
MOS信號處理器的開關(guān)電容電路用MOS技術(shù)實現(xiàn)當(dāng)然，另外一種可供利用的技術(shù)是雙極性的技術(shù)。約在1977年以前，按照所需要的功能雙極性與MOS技術(shù)間存在著清晰的劃分。MOS信號處理器。MOS技術(shù)，具有優(yōu)越的器件密度，多用于數(shù)字邏輯與記憶方面的應(yīng)用，而所有需要模擬功能(如放大、濾波、數(shù)據(jù)變換)的則用雙極性集成電路(如雙極運放)來完成。然而，從那時起，MOS制造技術(shù)的快速進(jìn)展使得它可能制造更復(fù)雜、更靈活
MOS信號處理器的開關(guān)電容電路是模擬系統(tǒng)雖然它們有抽樣數(shù)據(jù)特性，但SC電路仍以模擬方式處理信號，故信號值是被抽樣的電壓振幅，不進(jìn)行任何編碼。MOS信號處理器。這就使得信號處理中需要的基本運算(乘法、加法、遲延)比在數(shù)字電路里更易于進(jìn)行。故在芯片上運算的密度遠(yuǎn)比數(shù)字信號處理器時為高。不用任何復(fù)用，單一芯片上能容納100個以上極點的線性濾波器節(jié)。由于SC系統(tǒng)的電路簡單，信號處理的速度高于數(shù)字系統(tǒng)，現(xiàn)在
MOS信號處理器的開關(guān)電容電路是模擬系統(tǒng)雖然它們有抽樣數(shù)據(jù)特性，但SC電路仍以模擬方式處理信號，故信號值是被抽樣的電壓振幅，不進(jìn)行任何編碼。MOS信號處理器。這就使得信號處理中需要的基本運算(乘法、加法、遲延)比在數(shù)字電路里更易于進(jìn)行。故在芯片上運算的密度遠(yuǎn)比數(shù)字信號處理器時為高。不用任何復(fù)用，單一芯片上能容納100個以上極點的線性濾波器節(jié)。由于SC系統(tǒng)的電路簡單，信號處理的速度高于數(shù)字系統(tǒng)，現(xiàn)在
MOS信號處理器的開關(guān)電容電路是抽樣數(shù)據(jù)系統(tǒng)如前所述，在SC電路里，信號值只是在周期瞬刻計出的，而抽樣周期是由-晶體控制的時鐘來確定。MOS信號處理器。這一特點，便可能使所有極點與零點值僅與電容比有關(guān)(而不是絕對值)，這就可以實現(xiàn)準(zhǔn)確度與穩(wěn)定性良好的高選擇性響應(yīng)。由于只用信號的周期性的抽樣，就可能在幾個信號信道間，來時分(復(fù)用)整個電路或電路中運放等部件，導(dǎo)致高效率的多信道系統(tǒng)。最后，一個SC電路
MOS信號處理器的開關(guān)電容電路是抽樣數(shù)據(jù)系統(tǒng)如前所述，在SC電路里，信號值只是在周期瞬刻計出的，而抽樣周期是由-晶體控制的時鐘來確定。MOS信號處理器。這一特點，便可能使所有極點與零點值僅與電容比有關(guān)(而不是絕對值)，這就可以實現(xiàn)準(zhǔn)確度與穩(wěn)定性良好的高選擇性響應(yīng)。由于只用信號的周期性的抽樣，就可能在幾個信號信道間，來時分(復(fù)用)整個電路或電路中運放等部件，導(dǎo)致高效率的多信道系統(tǒng)。最后，一個SC電路
模擬MOS信號處理器-開關(guān)電容電路是集成電路解析在一些應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)，模擬MOS信號處理器能與早先的信號處理系統(tǒng)的實現(xiàn)方法競爭，甚至于占優(yōu)勢，明確這些應(yīng)用領(lǐng)域是重要的。MOS開關(guān)電容電路是集成電路。為此，下面列舉了模擬MOS(典型為開關(guān)電容)電路的一些特色，并與其它實現(xiàn)方法進(jìn)行了比較。MOS開關(guān)電容電路是集成電路這個特性對于它的應(yīng)用的經(jīng)濟性有深遠(yuǎn)的影響。這樣一個電路的研制(理論設(shè)計、計算機模擬、電路設(shè)
模擬MOS信號處理器-開關(guān)電容電路是集成電路解析在一些應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)，模擬MOS信號處理器能與早先的信號處理系統(tǒng)的實現(xiàn)方法競爭，甚至于占優(yōu)勢，明確這些應(yīng)用領(lǐng)域是重要的。MOS開關(guān)電容電路是集成電路。為此，下面列舉了模擬MOS(典型為開關(guān)電容)電路的一些特色，并與其它實現(xiàn)方法進(jìn)行了比較。MOS開關(guān)電容電路是集成電路這個特性對于它的應(yīng)用的經(jīng)濟性有深遠(yuǎn)的影響。這樣一個電路的研制(理論設(shè)計、計算機模擬、電路設(shè)
模擬MOS集成電路在信號處理中的應(yīng)用基本特征電信號處理器一般分為兩類：模擬系統(tǒng)與數(shù)字系統(tǒng)。模擬系統(tǒng)以電壓、電流，電荷等形式傳遞信號，它們是連續(xù)時間變量的連續(xù)函數(shù)。音頻放大器、無源或有源RC濾波器等是模擬信號處理器的一些典型例子。MOS集成電路在信號處理中的應(yīng)用。相反，在數(shù)字系統(tǒng)中，每一信號用一系列數(shù)表示，因為這些數(shù)只能包含有限數(shù)目的數(shù)字(典型的是以二進(jìn)制數(shù)孛或比特形式的編碼)，它們只能取離散值。而
模擬MOS集成電路在信號處理中的應(yīng)用基本特征電信號處理器一般分為兩類：模擬系統(tǒng)與數(shù)字系統(tǒng)。模擬系統(tǒng)以電壓、電流，電荷等形式傳遞信號，它們是連續(xù)時間變量的連續(xù)函數(shù)。音頻放大器、無源或有源RC濾波器等是模擬信號處理器的一些典型例子。MOS集成電路在信號處理中的應(yīng)用。相反，在數(shù)字系統(tǒng)中，每一信號用一系列數(shù)表示，因為這些數(shù)只能包含有限數(shù)目的數(shù)字(典型的是以二進(jìn)制數(shù)孛或比特形式的編碼)，它們只能取離散值。而
解析MOS晶體管版圖及其制版示意說明MOS晶體管制版如上所述，掩膜版是通過圖形發(fā)生器從編碼后的布圖制造出來的。一般的基本工藝包括把淀積在高質(zhì)量玻璃板上的薄層鉻(金屬)膜表面上的光敏感或電子束敏感的抗蝕劑曝光，用類似于10.2節(jié)描述的那些工序，將光刻膠顯影，然后腐蝕鉻膜，在掩膜版上形成所要求的清晰和不透明的區(qū)域。MOS晶體管制版。鉻是比較好的照相乳膠，因為它很耐磨，而且還可形成較高反差的象。電子束圖
解析MOS晶體管版圖及其制版示意說明MOS晶體管制版如上所述，掩膜版是通過圖形發(fā)生器從編碼后的布圖制造出來的。一般的基本工藝包括把淀積在高質(zhì)量玻璃板上的薄層鉻(金屬)膜表面上的光敏感或電子束敏感的抗蝕劑曝光，用類似于10.2節(jié)描述的那些工序，將光刻膠顯影，然后腐蝕鉻膜，在掩膜版上形成所要求的清晰和不透明的區(qū)域。MOS晶體管制版。鉻是比較好的照相乳膠，因為它很耐磨，而且還可形成較高反差的象。電子束圖
解析MOS晶體管版圖及其布圖編碼示意說明MOS晶體管布圖編碼掩膜版通常用計算機控制的圖形發(fā)生器來制作，因此，布圖一定要以編碼的形式提供給這些機器，通常儲存在磁帶中。實際的制版過程本身是一個復(fù)雜的過程，并且與特定的圖形發(fā)生器的類型和電路制造工藝中所用的光刻設(shè)備有關(guān)，因此，編碼格式視每一種不同類型的機器的要求變化很大。MOS晶體管布圖編碼。有了軟件包可進(jìn)行布圖編碼或文件的轉(zhuǎn)換，這一轉(zhuǎn)換可從內(nèi)部格式到計
解析MOS晶體管版圖及其布圖編碼示意說明MOS晶體管布圖編碼掩膜版通常用計算機控制的圖形發(fā)生器來制作，因此，布圖一定要以編碼的形式提供給這些機器，通常儲存在磁帶中。實際的制版過程本身是一個復(fù)雜的過程，并且與特定的圖形發(fā)生器的類型和電路制造工藝中所用的光刻設(shè)備有關(guān)，因此，編碼格式視每一種不同類型的機器的要求變化很大。MOS晶體管布圖編碼。有了軟件包可進(jìn)行布圖編碼或文件的轉(zhuǎn)換，這一轉(zhuǎn)換可從內(nèi)部格式到計
解析MOS晶體管版圖及其設(shè)計繪圖示意說明本節(jié)簡短討論一下制造一整套（實用的）掩膜版過程中主要得一些方面。這些制造過程可分布圖、布圖編碼和制版。這一節(jié)主要對那些正在作器件模擬的讀者們有用處，他們可能需要設(shè)計一個包含若千個器件的供測試用的芯片。MOS晶體管版圖。希望下面的資料將有助于使他們和制造工程師們（或硅產(chǎn)品制造廠）更容易相互配合。MOS晶體管版圖如10.1節(jié)所述，(布圖)設(shè)計規(guī)則包含了一套對電路
解析MOS晶體管版圖及其設(shè)計繪圖示意說明本節(jié)簡短討論一下制造一整套（實用的）掩膜版過程中主要得一些方面。這些制造過程可分布圖、布圖編碼和制版。這一節(jié)主要對那些正在作器件模擬的讀者們有用處，他們可能需要設(shè)計一個包含若千個器件的供測試用的芯片。MOS晶體管版圖。希望下面的資料將有助于使他們和制造工程師們（或硅產(chǎn)品制造廠）更容易相互配合。MOS晶體管版圖如10.1節(jié)所述，(布圖)設(shè)計規(guī)則包含了一套對電路
MOSFET器件隔離-小型化(按比例縮小)的器件隔離原理及結(jié)構(gòu)MOSFET器件隔離集成電路工藝中，MOSFET器件隔離是器件設(shè)計的一個組成部分。最廣泛使用的隔離技術(shù)是硅的局部氧化技術(shù)，縮寫為LOCOS，在10.3節(jié)已作了討論。LOCOS中的主要問題示于圖10.23。可以看到，LOCOS會使氧化膜橫向侵入器件工作區(qū)(壕溝)，侵入的距離可以與生長的場氧化膜厚度相比，結(jié)果形成所謂“鳥嘴”。MOSFET器
MOSFET器件隔離-小型化(按比例縮小)的器件隔離原理及結(jié)構(gòu)MOSFET器件隔離集成電路工藝中，MOSFET器件隔離是器件設(shè)計的一個組成部分。最廣泛使用的隔離技術(shù)是硅的局部氧化技術(shù)，縮寫為LOCOS，在10.3節(jié)已作了討論。LOCOS中的主要問題示于圖10.23?？梢钥吹?，LOCOS會使氧化膜橫向侵入器件工作區(qū)(壕溝)，侵入的距離可以與生長的場氧化膜厚度相比，結(jié)果形成所謂“鳥嘴”。MOSFET器
MOSFET溝道區(qū)-小型化(按比例縮小)的溝道區(qū)原理及結(jié)構(gòu)MOSFET溝道區(qū)溝道區(qū)由四個主要部分構(gòu)成：襯底、硅到絕緣膜的界面、柵絕緣膜和柵電極，因為溝道區(qū)是所有器件進(jìn)行工作的地方，因此在器件設(shè)計中自然地會對它引起相當(dāng)大的注意。當(dāng)然，在襯底中主要的問題是摻雜，它同時決定了器件的閾值電壓和它對偏置的靈敏度(或因此缺少)。MOSFET溝道區(qū)。在5.8節(jié)討論過，溝道中用一次或多次注入來凋整摻雜水平和摻雜分
MOSFET溝道區(qū)-小型化(按比例縮小)的溝道區(qū)原理及結(jié)構(gòu)MOSFET溝道區(qū)溝道區(qū)由四個主要部分構(gòu)成：襯底、硅到絕緣膜的界面、柵絕緣膜和柵電極，因為溝道區(qū)是所有器件進(jìn)行工作的地方，因此在器件設(shè)計中自然地會對它引起相當(dāng)大的注意。當(dāng)然，在襯底中主要的問題是摻雜，它同時決定了器件的閾值電壓和它對偏置的靈敏度(或因此缺少)。MOSFET溝道區(qū)。在5.8節(jié)討論過，溝道中用一次或多次注入來凋整摻雜水平和摻雜分
深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)英泰路8號英泰科匯廣場2棟1902
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